全球物联网、大数据中心、智能家居、便携设备等应用的发展不断丰富着我们的物质生活和精神生活，这些应用的正常运行不能离开半导体数据存储芯片——仅一片指甲盖面积大小的芯片区域就可以存放约300套《大英百科全书》文字内容的高科技产品。近年来，人类社会的数据量迅速激增，一年产生的数据就等于人类进入现代化以前所有历史的总和，这对存储器芯片的容量和存储密度提出了更高要求。

  传统半导体存储器芯片通过提高单位面积的存储能力实现容量增长，但在后摩尔时代已不可避免地面临单元间串扰加剧和单字位成本增加等瓶颈。因此，寻求存储技术阶跃性的突破和创新，是发展下一代存储器的主流思路。3D NAND是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长，将半导体存储器的发展空间带入第三维度，成为未来实现存储器芯片容量可持续增长的关键。

  中国作为全球制造业基地，存储器消耗量惊人。据统计，中国存储器消耗量占全球总消耗量的50%以上，但国产存储产品却屈指可数。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困境，开展大容量存储技术的研究和相关这类的产品研制迫在眉睫。2014年6月，国务院印发《国家集成电路产业高质量发展推进纲要》，将半导体产业新研发技术提升至国家战略高度。在此背景下，为推动自主存储芯片技术和产业的发展，中国科学院微电子研究所与长江存储科技有限责任公司成立战略合作，集中开展3D NAND领域关键技术的全方位攻关。

  图1。 常规2D NAND与新兴3D NAND空间结构对比图（图片来自：网络）

  3DNAND芯片的物理结构很复杂，如果说传统芯片的工艺制作的步骤如同在硅基材料的微观世界里盖平房，那么3D NAND多层堆叠结构的实现则是筑起高楼大厦的高难度工程，这给半导体工艺制造带来了全新挑战，需要在工艺流程上解决高深宽比刻蚀、高选择比刻蚀、叠层薄膜沉积、存储层形成、金属栅形成以及双曝光金属线等关键技术，才能实现特性稳定、良率较高的存储核心结构。

  存储器的可靠性是影响产品的质量的重要一环，数据耐久性、数据保持特性、耦合和扰动是可靠性的主要评估特性，综合反映了存储器可以正确存取资料的常规使用的寿命。NAND型存储器的普遍寿命在10年左右。由于不可123123能在自然条件下来测试，研发人员采用存储器加速老化的测试方法，在1-2周内模拟数十年的过程，通过大量实验数据的组合分析，寻找影响可靠性特性的重要的条件。同时，研发人员还建立了三维存储结构的理论及工程模型，并应用创新性的电路设计技术，保证芯片各项指标达到产品级别。

  目前，由微电子所与长江存储联合开展的3DNAND关键技术攻关已取得重要进展，研发的32层存储器芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到了预期要求，系国内首次实现3D NAND工艺器件和电路设计等一整套技术验证，标志着我国3D NAND存储器研发向产业化道路迈出了关键一步。

  集微网消息，2月6日晚23时50分在台湾花莲县附近海域（北纬24.13度，东经121.71度）发生6.5级地震，震源深度11千米。据台湾地区新闻媒体报道，目前花莲陆续传出统帅饭店倒塌、商校街2号旅店倾斜等灾情，根据统计，已造成2人死亡、202人轻重伤，分送门诺医院、花莲医院、慈济医院及国军花莲医院。台电表示，针对花莲地震造成当地滨海馈线户停电，经台电抢修，已于1时43分回到正常状态供电，其余567户台电正持续抢修中。 自4日至今，台湾已发生百次左右有感地震。 作为台湾的经济支柱之一的半导体产业，长期以来一直饱受“缺电”威胁，近日前台积电5纳米厂房动工时，张忠谋就曾特别提到当地政府对供电方面的支持。 随着半导体产业的快速

  【赛迪网讯】3月12日消息，英特尔日前表示，公司已开始450毫米晶圆基片上的微处理器设计的规划。 据站报道，英特尔资深技术架构师帕罗-加吉尼表示，使用45纳米工艺生产晶片的技术预计到2007年底开始投入应用。加吉尼在因特尔开发者论坛上表示，有关半导体业采用更大规模晶圆的规划预计在2006年--2007年间进行，在2008年部分厂商真正 投产。他同时表示，估计只有25%的半导体厂商可能转向12英寸晶圆基片。 英特尔将于今年年中做出有关45纳米工艺规划的最后决策，并选择相应的设备。对于32纳米工艺，英特尔按计划将于2007年底做最后决定。加吉尼表示，英特尔一直在积极尝试

  vivo 推出了一款名为 vivo Y12s 的新款中端手机，该手机已能在香港和越南等亚洲市场购买。 vivo Y12s 采用 6.51 英寸的 IPS LCD 屏，屏幕可提供 720 x 1600 像素的 HD + 分辨率和 20：9 的宽高比。手机尺寸为 164.41 x 76.32 x 7.41mm，重 191 克。 它配备一个 800 万像素的前置摄像头。背面摄像头包括一个带 f / 1.8 光圈的 1300 万像素主摄和一个带 f / 2.4 光圈的 200 万像素辅助镜头。 内部搭载 Helio P35 芯片，结合了 3GB 的 RAM。手机带有 32GB 的内部存储空间，vivo Y12s 由 5,0

  作为智能手机和汽车电子的主要供应商，意法半导体为这两个交叉的重要市场提供了更便利和更安全的技术上的支持。 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布加入全球车联联盟（CCC）。全球车联联盟是一个跨产业组织，致力于推动适用于智能手机对汽车连接解决方案的全球技术的发展。 “智能手机为忙碌的职场人士和消费者提高了效率，并带来了便利。不管是作为声控个人助理、个人钱包、还是导航器，智能手机都是又安全又自然便利的基于身份验证的设备，可以为车主打开车门、调整座位、为收音机调台、并对车辆进行个性化的设置，以增加舒适感，并适应个人偏好，”意法半导体标准

  人民网·天津视窗7月8日电：7月7日下午，天津开发区管委会与天津大学、江苏常诚汽车部件有限公司就MEMS(微机电系统)射频滤波芯片项目签署投资合作协议。天津大学校长李家俊，滨海新区区委常委、天津开发区(南港工业区)管委会党组书记、主任何树山出席仪式。 据介绍，该产品在开发区西区产业化后，将使项目公司成为亚洲第一家、世界第二家掌握该技术的公司。该芯片产业化项目总投资7.5亿元，全部达产后公司可实现年产能4万片晶元，产值达到8亿元人民币。它的落户，将加强完善开发区无线通讯产品产业链，提升产业的研发与制造水平。

  近日，国内手机生产厂商在MWC 2022上花式秀肌肉，OPPO展示了最新的240W快充技术，将快充功率直接拉满，刷新业界纪录。realme推出了可实现商用的150W快充技术，并表示该技术将会在realme GT Neo3机型中实现首发。小编看到这个地方再看看手中只支持20W快充的手机，突然就觉得不香了，国外某些厂商就不能学着点吗？ 上述讲的快充技术均是基于手机生产厂商的私有协议实现的，下面我们来聊聊最大支持240W输出的PD 3.1公有快充协议，PD协议是目前在手机领域普及率较高的一种快充协议，谷歌在此前发布的PPS规范中也明确说，凡是Android7.0以上支持快充的手机都必须支持PD快充协议，如小米、三星、华为等一线品牌的手机均支持PD

  半导体 材料是电子信息产业的基石。目前，随着晶体管特征尺寸的缩小，由于短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，主流硅基材料与CMOS(互补金属氧化物 半导体 )技术正发展到10纳米工艺节点而很难提升， 摩尔定律 可能终结下面就随半导体小编共同来了解一下相关联的内容吧。 因此，开发新型高性能 半导体 沟道材料和新原理晶体管技术，是科学界和产业界近20年来的主流研究方向之一。在众多CMOS沟道材料体系中，相比于一维纳米线和碳纳米管，高迁移率二维半导体的器件加工与传统微电子工艺兼容更好，同时其超薄平面结构可有效抑制短沟道效应，被认为是构筑后硅时代纳电子器件和数字集成电路的理想沟道材料。 然而，现有二维材料体系(石墨烯、拓扑绝缘

  上海汽车集团股份有限公司 （以下简称“上汽集团”） 和英飞凌科技股份公司 （以下简称“英飞凌”） 今日宣布成立合资企业，为中国充满了许多活力的电动汽车市场制造功率模块。上汽集团持股51%，英飞凌持股49%。合资 公司 命名为“上汽英飞凌汽车功率 半导体 （上海）有限公司”，总部设在上海，生产基地位于英飞凌无锡工厂扩建项目内，计划在2018下半年开始 批量生产 。 上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司开业仪式 “通过提供先进的半导体解决方案，英飞凌在 全球 主要电动汽车市场 均 占据领头羊 。 这中间还包括充满了许多活力的中国市场，它已变成全球上最大的 且 增长最快 的 混合动力与 纯 电动汽车市场。 ” 在无锡举办的新合资企业开幕

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