浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室2022年碳化硅基外延方向博士后人员招聘

时间: 2023-11-11 12:19:43 |   作者: 媒体动态

  浙江大学杭州国际科创中心(以下简称科创中心)是新时代浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科学技术创新平台,是浙江省打造“互联网+”、生命健康和新材料三大科创高地的重大标志性工程。中心聚焦物质科学、信息科学、生命科学的会聚融通,推动在微纳尺度下多学科交叉的颠覆性技术革命,支撑引领未来高端制造和未来产业高质量发展,打造长三角一体化发展的重要创新极,成为具有世界声誉的国际化创新生态区和杰出人才汇聚地。

  浙大杭州科创中心先进半导体研究院聚焦宽禁带半导体领域的国际前沿和重大科学问题,瞄准国家在信息、能源等领域的重大战略需求,依托长三角区域领先的产业优势、浙江大学雄厚的科研实力和杭州科创中心创新的体制机制,着力打造一个国内领先、国际先进的前沿技术创新研发平台,推动产学研深层次地融合发展。目前先进半导体研究院下设半导体材料研究室、功率器件研究室、封装测试研究室,具有从材料到系统集成的全链条研发能力,拥有国际一流的大型仪器设施和超净实验室等研发设施。

  本研究组隶属于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室,该研究室在半导体材料专家杨德仁院士指导下开展工作,研究室主任是皮孝东教授。本研究组主要研究方向为碳化硅同质外延薄膜的制备及应用,以及碳化硅中的杂质与缺陷研究。根据研发需要,本研究组拟招聘有志于碳化硅薄膜外延及其中杂质与缺陷研究的研究人员。

  (3) 碳化硅同质外延过程中的热场仿线) 基于碳化硅同质外延薄膜的电子、光学器件研究。

  40万块钱(含地方政府人才补贴);2. 参与科创中心重大课题研究并取得显著成绩的,可获得额外资助或津贴;

  寓;5. 获得国家自然科学基金、中国博士后科学基金和省级博士后科研项目资助者,杭州市、萧山区财政

  1:1配套资助;6. 在站期间,合乎条件者可申报科创中心相关系列高级专业方面技术职务;

  40万+40万元);满足规定的要求者能申请杭州市D类人才计划(两年购房补贴100万)9. 入选者符合杭州市高层次人才标准的,可协助解决子女入园入托问题。


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